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PSCDS系列屏蔽贴片电感(与Sumida CDRH系列产品兼容)
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PSLF系列屏蔽贴片电感(与TDK SLF系列产品兼容)
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日本Rubycon YXG系列电解电容器
　

产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 极性 集电极电流Ic(max)(A) 集电极-发射极电压Vceo(min)(V) 电流增益HFE最小值(dB) 电流增益HFE最大值(dB) 最大功率PTM Max (W) 增益带宽Ft(MHz) 封装/温度(℃) 价格/1片(套)
2N3055 NPN 15 60 20 70 115 2.500 TO3/-65~200 ￥12.00
2N5884 PNP 25 80 20 100 200 4 TO3/-65~200 ￥21.60
BD438 PNP 4 45 85 375 36 3 Case77/-55~150 ￥2.57
BD682 PNP 4 100 750 － 40 1 Case77/-55~150 ￥2.57
BDW42 NPN 15 100 1000 － 85 4 TO220/-55~150 ￥5.32
BUH100 NPN 10 400 6 － 100 23 TO220/-65~150 ￥7.22
BUV21 NPN 40 200 20 60 250 8 TO3/-65~200 ￥65.00
D45H8 PNP 10 60 40 － 50 40 3TO220/-55~150 ￥5.32
D45H8G PNP 60 10 20 70 3 75 TO220AB/-65~150 ￥4.99
MJD31C NPN 3 100 10 － 15 3 3PDAK/-65~150 ￥2.00
MJD340 NPN 0.500 300 30 240 15 － 3PDAK/-65~150 ￥2.28
MJD45H11G PNP 8 80 40 　 20 40 DPAK/-55~150 ￥3.42
MJD50 NPN 1 400 30 150 15 10 3PDAK/-65~150 ￥2.76
MJE15034 NPN 4 350 100 － 50 30 3TO220AB/-65~150 ￥16.80
MJE15035 PNP 4 350 100 － 50 30 3TO220AB/-65~150 ￥16.80
MJL1302A PNP 15 200 60 175 200 30 3TO264/-65~150 ￥20.70
MJL21193 PNP 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ￥32.00
MJL21194 NPN 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ￥32.00
MJL21195 PNP 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ￥32.00
MJL21196 NPN 16 250 25 75 200 4 3TO3PBL/-65~150 ￥32.00
MJL3281A NPN 15 200 60 175 200 30 3TO264/-65~150 ￥20.70
MJL4281A NPN 15 350 80 250 230 35 3TO264/-65~150 ￥43.00
MJL4302A PNP 15 350 80 250 230 35 3TO264/-65~150 ￥44.00
NSL12AWT1 PNP 2 12 100 300 － 100 SOT-416/-55~150 ￥.80
NSL12TT1 PNP 2 12 100 － － － SOT-416/-55~150 ￥.70
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 集电极-发射极嵌位电压 (关闭状态)典型值(V) 集电极电压最大值(导通状态)Vce(on)@Vge=4.0V,Ic=6.0A(V) 集电极电压最大值(导通状态)Vce(on)@Vge(V) Ic-Pulsed最大值(A) Id-cont最大值(A) 总功耗最大值Pd(W) 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
MGB15N40CLT4 400 1.600 1.900 50 15 150 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥20.00
MGB19N35CLT4 350 1.600 1.800 50 19 166 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥20.00
NGB15N41CLT4 410 1.800 2.200 50 15 107 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥17.60
NGB18N40CLBT4 430 1.600 2 50 18 115 D2PAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥17.40
NGD15N41CLT4 410 1.800 2.200 50 15 107 DPAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥15.50
NGD18N40CLB 430 1.600 2 50 18 115 DPAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥15.00
NGD18N40CLBT4 430 1.600 2 50 18 115 DPAK/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥15.00
NGP15N41CL 410 1.800 2.200 50 15 107 TO-220/-55~175 隔离栅双极性晶体管 ￥16.60
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 工作电压(V) 驱动器数 输出电流最大值(A) 传播延时(ns) 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
MC33153D 11~20 1 1 300 8SOIC/-40~105 单IGBT门驱动器 ￥14.80
MC33153P 11~20 1 1 300 8PDIP/-40~105 单IGBT门驱动器 ￥14.80
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 FET数 漏源电压(V) 持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A) 静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ) 通道极性 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
TPS1100D 1 -15 -1.600 180 P沟道 8SOIC/-40~85 单路P沟道增强方式MOSFET ￥6.80
TPS1100DR 1 -15 -1.600 180 P沟道 8SOIC/-40~85 单路P沟道增强方式MOSFET ￥6.80
TPS1101D 1 -15 -2.300 90 P沟道 8SOIC/-40~125 单路P沟道增强方式MOSFET ￥11.70
TPS1120D 2 -15 -1.700 180 P沟道 8SOIC/-40~85 双路P沟道增强方式MOSFET ￥10.50
TPS1120DR 2 -15 -1.700 180 P沟道 8SOIC/-40~85 双路P沟道增强方式MOSFET ￥13.40
产品参数表(请选择一个产品):
产品型号 源漏极间雪崩电压V(BR)DSS(V) 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ) 最大漏极电流Id(on)(A) 通道极性 封装/温度(℃) 描述 价格/1片(套)
2N7000RLRAG 60 5000 0.200 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥.85
BS107AG 200 6000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥1.24
BS108ZL1G 200 10000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥1.24
BS170G 60 5000 0.500 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管 ￥1.20
BSS123LT1G 100 6000 0.170 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ￥.60
BSS138LT1G 50 3500 0.200 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管 ￥.60
BSS84LT1G 50 5000 0.130 P沟道 SOT-23/-55~150 小信号P沟道SOT23封装场效应管 ￥.60
MGSF1N02LT1G 20 130 0.750 N沟道 SOT-223/-55~150 0.75A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥1.00
MGSF1N03LT1G 30 145 2.100 N沟道 SOT-223/-55~150 2.1A,30V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥1.60
MGSF2N02ELT1G 20 115 2.800 N沟道 SOT-223/-55~150 2.8A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥1.00
MMBF0201NLT1G 20 1.400 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥1.20
MMBF170LT1G 60 － 0.500 N沟道 SOT-223/-55~150 0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥.60
MMBF170LT3G 60 － 0.500 N沟道 SOT-223/-55~150 0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥.60
MMBF2201NT1G 20 1.400 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥1.10
MMBF2202PT1G 20 3.500 0.300 P沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,P沟道功率MOSFET ￥1.10
MMDF2C03HDR2G 30 70/200 4.100 N/P沟道 SO-8/-55~150 2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFET ￥5.88
MMDF2N02ER2G 25 100 3.600 N/N沟道 SO-8/-55~150 2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFET ￥6.30
MMDF2P02HDR2G 20 160 3.600 P/P沟道 SO-8/-55~150 2A,20V,SO-8,P沟道功率双MOSFET ￥5.90
MMDF3N02HDR2G 20 90 3.800 N/N沟道 SO-8/-55~150 3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET ￥6.00
MMDF3N04HDR2G 40 80 3.400 N/N沟道 SO-8/-55~150 3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET ￥5.90
MMFT960T1G 60 1.700 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET ￥2.70
MMSF3P02HDR2G 20 95 5.600 P沟道 SO-8/-55~150 3A,20V,SO-8,P沟道功率MOSFET ￥5.90
MMSF7P03HDR2G 30 35 7 P沟道 SO-8/-55~150 7A,30V,SO-8,P沟道功率MOSFET ￥5.80
MTB30P06VT4G 60 67 30 P沟道 3D2PAK/-65~175 30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET ￥11.50
MTB50P03HDLT4G 30 25 50 P沟道 3D2PAK/-65~175 50A,30V,D2PAK,P沟道功率MOSFET ￥20.00
MTD5P06VT4G 60 450 5 P沟道 3DPAK/-65~175 5A,60V,DPAK,P沟道功率MOSFET ￥3.15
MTP12P10G 100 300 12 P沟道 TO-220AB/-65~150 12A,100V,TO220,P沟道功率MOSFET ￥10.60
MTP23P06VG 60 120 23 P沟道 TO-220AB/-65~150 23A,60V,TO220,P沟道功率MOSFET ￥8.70
MTP2P50EG 500 6000 2 P沟道 TO-220AB/-55~150 小信号P沟道TO-220AB封装场效应管 ￥13.00
MTP50P03HDLG 30 25 50 P沟道 TO-220AB/-55~150 小信号P沟道TO-220AB封装场效应管 ￥18.50
MTW32N20EG 200 75 32 N沟道 TO-247/-55~150 小信号N沟道TO-247封装场效应管 ￥37.90
NID5001NT4G 42 29 33 N沟道 DPAK/-55~175 自保护FET带过温和过流限制 ￥5.90
NID5003NT4G 42 50 20 N沟道 DPAK 4/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42V，20A ￥3.85
NID6002NT4G 60 210 6.500 N沟道 DPAK 4/-55~150 65 V, 6.5 A, 带过温和过流保护，N沟道FET 暂无
NID9N05CLT4G 55 181 － N沟道 DPAK/-55~175 9 A, 52带ESD保护功率MOSFET ￥2.00
NIF5002NT1G 42 200 3 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V, 2.0 A, ￥2.20
NIF5003NT1G 42 68 14 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V clamp, 14 A ￥4.40
NIF5003NT3G 42 68 14 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V clamp, 14 A ￥3.80
NIF62514T1G 42 100 － N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制，电压钳位 ￥3.50
NTA4001NT1G 20(min) 1500 0.238 N沟道 SC-75 /-55 ~150 小信号N沟道20 V, 238 mA MOSFET 带ESD保护 ￥1.10
NTA4151PT1G 20(min) 360 0.760 P沟道 SC-75/-55 ~150 小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护 ￥1.30
NTA4153NT1G 26(min) 9500 0.915 N沟道 SC-75/-55 ~150 小信号N沟道20 V, 915 mA, MOSFET 带ESD保护 ￥1.20
NTA7002NT1G 30(min) 2000 0.154 N沟道 SC-75/-55 ~150 小信号N沟道230 V, 154 mA, MOSFET 带ESD保护 ￥.50
NTB125N02RT4G 24(min) 4.600 125 N沟道 D2PAK 3/-55 ~150 125 A, 24 V 功率MOSFET ￥7.45
NTB25P06G 60 82 27.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 -60 V, -27.5 A功率MOSFET ￥7.25
NTB25P06T4G 60 82 27.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 -60 V, -27.5 A功率MOSFET ￥7.25
NTB30N06G 60 42 27 N沟道 D2PAK /-55 ~150 30 A, 60 V 功率MOSFET ￥4.68
NTB30N20T4G 200 81 30 N沟道 D2PAK/-55 ~150 30 A, 200 V功率MOSFET ￥17.80
NTB35N15T4G 150 50 37 N沟道 D2PAK/-55 ~150 37 A, 150 V功率MOSFET ￥15.70
NTB4302T4G 30 9.300 74 N沟道 D2PAK/-55 ~150 74 A, 30 V功率MOSFET ￥6.30
NTB45N06T4G 40 26 45 N沟道 D2PAK/-55 ~150 45 A, 60 V功率MOSFET ￥7.50
NTB52N10T4G 100 30 52 N沟道 D2PAK/-55 ~150 52 A, 100 V功率MOSFET ￥15.00
NTB5605PG 60 140 18.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 - 60 V, - 18.5 A,功率MOSFET ￥5.54
NTB60N06T4G 60 14 60 N沟道 D2PAK/-55 ~150 60 V, 60 A功率MOSFET ￥10.98
NTB65N02RT4G 24 10.500 65 N沟道 D2PAK/-55 ~150 24V, 65 A功率MOSFET ￥3.90
NTB75N06T4G 60 9.500 75 N沟道 D2PAK/-55 ~150 75 A, 60 V功率MOSFET ￥17.60
NTB85N03T4G 28 6.100 85 N沟道 D2PAK/-55~150 85A,28V功率MOSFET 暂无
NTD110N02R-001G 24 4.600 110 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 24 V, 110 A功率MOSFET ￥6.25
NTD110N02RG 24 3.700 110 N沟道 DPAK/-55~150 110A,24V功率MOSFET 暂无
NTD110N02RT4G 24 4.600 110 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 24 V, 110 A功率MOSFET ￥6.25
NTD12N10T4G 100 165 12 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 12 A, 100 V功率MOSFET ￥3.79
NTD18N06-1G 60 60 18 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 18 A, 60 V功率MOSFET ￥3.76
NTD18N06LT4G 60 60 18 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 18 A, 60 V功率MOSFET ￥3.76
NTD20N03L27T4G 30 27 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 30 V功率MOSFET ￥4.10
NTD20N06LT4G 60 48 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 60 V功率MOSFET ￥4.10
NTD20N06T4G 60 46 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 60 V功率MOSFET ￥4.10
NTD20P06LT4G 60 150 15.500 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -60 V, -15.5 A功率MOSFET ￥4.30
NTD24N06LT4G 60 45 24 N沟道 <